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可直驱 SiC 落地方案，必易微 KP2213 助力高功率密度充电器与开关电源设计:开关电源
前言碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）均为第三代宽禁带半导体，其具备的高击穿电压、低导通电阻与优越的高温/高频特性，使得在高功率、高电压场景中能有效提升效率与功率密度开关电源。但两者面向的细分市场
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前言碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）均为第三代宽禁带半导体，其具备的高击穿电压、低导通电阻与优越的高温/高频特性，使得在高功率、高电压场景中能有效提升效率与功率密度开关电源。但两者面向的细分市场